Zamonaviy dunyoda innovatsion tadqiqotlar 4-jild vative-son (2025) · 97–100-betlar

P-N O’TISHLI GETROSTRUKTURALARDA TEMPERATURA, BAZA VA SIRQISH QARSHILIKLAR TA’SIRIDA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI O’RGANISH

NE’MATOV, ILYOSBEK, IBRAGIMOV, RAXIMJON, KARIMOV, SANJARBEK

DOI: 10.70413/zdit-v04-i03-p1-008 · Manbada o'qish →

Annotatsiya

Har qanday yarimo’tkazgichli tuzilmalar yoki yorug’lik diodlarida ham p-n o’tish mavjud. Yorug’lik diodlarida to’g’ri yo’nalish bo’ylab elektr toki o’tishi natijasida zaryad tashuvchilar elektron va kovaklar rekombinatsiyaga uchrashi tufayli fotonlarni nurlaydi. Bunda elektronlar bir energetik holatdan ikkinchi energetik holatiga o’tadi. Lekin hamma yarimo’tkazgichlarda ham rekombinatsiya tufayli yorug’lik nurlanavermaydi. To’g’ri zonali bo’lmagan yarimo’tkazgichlardan masalan kremniy, germany kabi elementlardan tayyorlangan diodlar amalda umuman nurlamaydi.

ћ – Plank domiysi; ћω – fotonlarni energiyasi; α – optik yutilish koeffitsienti; α(ћω) - optik yutilish koeffitsienti spektral xarakteristikasi;Ev – valent zonaning yuqori chegarasi; Ec – o‘tkazuvchanlik zonasining quyi chegarasi; g(ε) – elektronlarni holat zichligining taqsimoti; gV(ε) - valent zonadagi elektronlarni holat zichligining taqsimoti; gC(ε) - o‘tkazuvchanlik zonasidagi elektronlarni holat zichligining taqsimoti; E – energetik holat; Eg – taqiqlangan zonaning energetik kengligi; N(C) – o‘tkazuvchanlik zonasidagi elektron holatlari zichligining effektiv qiymati; N(V) – valent zonadagi elektron holatlari zichlining effektiv qiymati;

Metadata manbasi: jurnal OAI-PMH arxivi · Sindex to'liq matnni saqlamaydi, manbaga havola beradi.