SUYUQ FAZADA O’STIRILGAN PSI-N(SI2)1-X(CDS)X     TUZILMANING ELEKTROFIZIK VA FOTOELEKTRIK XOSSALARI

Saidov, A.S; Gaymnazarov, K.G.; Saparova, G.B.

doi:10.5281/zenodo.10640356

Центральноазиатский журнал междисциплинарных исследований и менеджмента 1-jild 1-son (2024) · 80–85-betlar

SUYUQ FAZADA O’STIRILGAN PSI-N(SI2)1-X(CDS)X TUZILMANING ELEKTROFIZIK VA FOTOELEKTRIK XOSSALARI

Saidov, A.S, Gaymnazarov, K.G., Saparova, G.B.

DOI: 10.5281/zenodo.10640356 · Manbada o'qish → · PDF (manba serverida)

Annotatsiya

Har xil temperaturada pSi-n(Si2)1-x(CdS)x   strukturalarining voltamper xarakteristikalari tekshirildi. Bunday strukturalarning voltamper xarakteristikalari kuchlanish bo’yicha tokning oshishi VV0exp(JaW) subchiziqli qismga ega ekanligi qayd etildi. Tajriba natijalari injektsion kamayish effekti nazariyasi asosida tushuntirildi. CdS kiritmalari mavjud bo’lgan namunalarda spektrning qisqa to’lqinli soxasida fotonlar energiyasining Eph ≥ 2,2 eV qiymatlarida fotosezgirlikning ko’tarilishi kuzatildi. Bu holat CdS izovalent kiritmalariga fotovoltaik effektning ta’siri bilan vujudga kelishi ko’rsatilgan.

Metadata manbasi: jurnal OAI-PMH arxivi · Sindex to'liq matnni saqlamaydi, manbaga havola beradi.