Eurasian Journal of Academic Research 4-jild 7-son (2024) · 1226–1229-betlar

КРЕМНИЙ С БИНАРНЫМИ СОЕДИНЕНИЯ АТОМОВ ФОСФОРА И ГАЛЛИЯ

Зикриллаев, Нурулло, Қурбонова, Угилой, Уракова, Феруза, Вахабов, Кутбиддин, Алиев, Баходир, Рашидов, Темур

DOI: 10.5281/zenodo.13382788 · Manbada o'qish →

Annotatsiya

Установлено, что диффузия примесных атомов галлия и фосфора из газовой фазы в кремний обеспечивает не только компенсацию, но и частичное взаимодействие этих атомов между собой. Спектр образцов с бинарными соединениями GaP полученный на сканирующем электронном микроскопе показал, что атомы галлия и фосфора присутствуют на поверхности и приповерхности кремния после диффузии. Исследование концентрационного распределения носителей заряда по глубине показывает, что при совместной диффузии растворимость атомов галлия в кремнии увеличивается на один порядок. При этом подвижность носителей заряда (электронов) уменьшалась в 3÷4 раза. На основе полученных данных определены концентрация (~1019см-3) бинарных соединений Ga-P+ и энергия химической связи (~0,62 eV). Полученные результаты могут быть связаны с электростатическим взаимодействием ионов галлия и фосфора при диффузии, из-за которого изменяется концентрационное распределение примесей, а также образуются квазинейтральные бинарные соединении Ga-P+ в решетке кремния.

кремний, диффузия, бинарные соединения, подвижность, галлий, фосфор, кристалл, прибор, технология, температура.

Metadata manbasi: jurnal OAI-PMH arxivi · Sindex to'liq matnni saqlamaydi, manbaga havola beradi.