«FarDU­ ilmiy xabarlari» Том 31 № 4 (2025)

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe

Отажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола

Читать на сайте источника

Аннотация

<p><em>В работе проведено исследование влияния глубоких примесных уровней на фотоэлектрические параметры плёночных гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Рассмотрены механизмы формирования глубоких уровней в процессе осаждения и последующей термической обработки слоёв. Установлено, что присутствие глубоких уровней существенно влияет на процессы рекомбинации носителей заряда, уменьшает время жизни неосновных носителей и приводит к изменению спектральной чувствительности структур. Приведён анализ зависимости основных фотоэлектрических характеристик — фототока, фотонапряжения и квантового выхода — от плотности и энергетического положения глубоких уровней. Полученные результаты позволяют выработать рекомендации по оптимизации технологических параметров для создания высокоэффективных фотоэлектронных приборов и солнечных элементов на основе гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Определено, глубокие примесные уровни в </em><em>CdTe</em><em> энергия активации, которых равны </em><em>E<sub>c</sub></em><em>=1,15 эВ. </em></p>

гетеропереходысолнечные элементыp-CdTe – n-CdSфоточувствительностьполикристаллическая пленкарекомбинационные центрыспектральная чувствительность.гетеропереходысолнечные элементыp-CdTe – n-CdS

Источник метаданных: OAI-PMH архив журнала · Sindex не хранит полный текст, а даёт ссылку на источник.

Цитировать

APA 7 
Отажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон & Эргашева, Лола (2025). ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe. «FarDU­ ilmiy xabarlari», 31(4).
GOST R 7.0.5 
Отажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe // «FarDU­ ilmiy xabarlari». 2025. Т. 31. № 4.
BibTeX 
@article{салим2025,
  author  = {Отажонов, Салим and Эргашев, Равшанбек and Ботиров, Қодир and Маъруфова, Умидахон and Эргашева, Лола},
  title   = {ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe},
  journal = {«FarDU­ ilmiy xabarlari»},
  year    = {2025},
  volume  = {31},
  number  = {4}
}
RIS 
TY  - JOUR
AU  - Отажонов, Салим
AU  - Эргашев, Равшанбек
AU  - Ботиров, Қодир
AU  - Маъруфова, Умидахон
AU  - Эргашева, Лола
TI  - ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe
JO  - «FarDU­ ilmiy xabarlari»
PY  - 2025
VL  - 31
IS  - 4
ER  -