Ilim ha’m ja’miyet № 8-1 (2025) · Саҳифаҳои 10-13
МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК ПЕРЕХОДЫ В ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОВЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ С ПРИМЕСЯМИ МАЛОГО РАДИУСА
Жумабаева, Г.К.
Аннотатсия
The purpose of this research is to determine the criteria (i.e. conditions) for the existence of the localized states of hole carriers and solve the problem of metal-insulator transitions in La-based cuprates. We propose a new two-carrier cuprate superconductor model for studying two distinct metal-insulator transitions occurring simultaneously in hole-doped La-based cuprate compounds. We demonstrate that when hole carriers reside in impurity and polaron bands, these metal-insulator transitions in La-based superconductors with small-radius dopants occur accordingly in a wide doping range and relatively lower doping levels.
La асосли купратларковакли ташувчиларметалл/ўрта ўтказгич-диэлектрик ўтишларкучсиз легирланган режимўрта легирланган режимток ташувчилар концентрациясикупраты на основе Laдырочные носителиметалл/сверхпроводник-диэлектрик переходыслаболегированный режим
Манбаи метамаълумот: бойгонии OAI-PMH-и маҷалла · Sindex матни пурраро нигоҳ намедорад, ба манбаъ пайванд медиҳад.