Ilim ha’m ja’miyet 3-1-нөмір (2021) · 10-12-беттер
КРЕМНИЙ КРИСТАЛЛ ПАНЖАРАСИДА НИКЕЛЬ КИРИШМА АТОМЛАРИНИНГ ГЕТТЕРЛОВЧИ ХОССАЛАРИ
Исмайлов, К.А., Камалов, Х.У., Исмайлов, Б.К.
Аңдатпа
This article considers that by forming clusters of impurity nickel atoms in the crystal lattice of silicon, it is possible to realize gettering of various uncontrolling impurities, as well as oxygen atoms stimulating the generation of recombination centers and thermal defects.
геттерланишкремнийникельдиффузиярекомбинация марказлариgetteringsiliconnickeldiffusionrecombination centers
Метадеректер дереккөзі: журналдың OAI-PMH архиві · Sindex толық мәтінді сақтамайды, дереккөзге сілтеме береді.