Ilim ha’m ja’miyet Issue 3-1 (2021) · pp. 21-23

КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ

Зикриллаев, Н.Ф., Исамов, С.Б.

Read at source

Abstract

The presence of high concentrations of phosphorus during the diffusion of gallium into silicon established the law of a significant increase in the solubility of gallium. The results obtained were explained by the interaction of gallium and phosphorus atoms, and a sharp change in the distribution was found as a result of the action of Coulomb forces.

Кулон ўз-aрo таъсиригаллийфосфоркремнийэрувчанликтақсимотКулоновское взаимодействиегаллийфосфоркремний

Metadata source: the journal's OAI-PMH archive · Sindex does not store the full text; it links to the source.

Cite

APA 7 
Зикриллаев, Н.Ф. & Исамов, С.Б. (2021). КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ. Ilim ha’m ja’miyet, (3-1), 21-23.
GOST R 7.0.5 
Зикриллаев, Н.Ф., Исамов, С.Б. КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ // Ilim ha’m ja’miyet. 2021. № 3-1. С. 21-23.
BibTeX 
@article{н.ф.2021,
  author  = {Зикриллаев, Н.Ф. and Исамов, С.Б.},
  title   = {КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ},
  journal = {Ilim ha’m ja’miyet},
  year    = {2021},
  number  = {3-1},
  pages   = {21-23}
}
RIS 
TY  - JOUR
AU  - Зикриллаев, Н.Ф.
AU  - Исамов, С.Б.
TI  - КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ
JO  - Ilim ha’m ja’miyet
PY  - 2021
IS  - 3-1
SP  - 21
EP  - 23
ER  -