Ilim ha’m ja’miyet № 3-1 (2021) · с. 21-23
КРЕМНИЙГА ФОСФОР ВА ГАЛЛИЙНИНГ КЕТМА-КЕТ ДИФФУЗИЯСИ НАТИЖАСИДА ГАЛЛИЙ КОНЦЕНТРАЦИЯСИНИНГ ОШИШИ
Зикриллаев, Н.Ф., Исамов, С.Б.
Аннотация
The presence of high concentrations of phosphorus during the diffusion of gallium into silicon established the law of a significant increase in the solubility of gallium. The results obtained were explained by the interaction of gallium and phosphorus atoms, and a sharp change in the distribution was found as a result of the action of Coulomb forces.
Кулон ўз-aрo таъсиригаллийфосфоркремнийэрувчанликтақсимотКулоновское взаимодействиегаллийфосфоркремний
Источник метаданных: OAI-PMH архив журнала · Sindex не хранит полный текст, а даёт ссылку на источник.