Ilim ha’m ja’miyet Issue 2-1 (2025) · pp. 46-47

ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ

Шарибаев, М.Б., Каландарова, Ш.К.

Read at source

Abstract

The article states that in the results of growing erbium-doped epitaxial silicon layers using two different growth modes: conventional molecular beam epitaxy (MBE) and solid-phase epitaxy (SPE) are presented. It has been shown that an erbium-doped silicon layer, when deposited by SPE on a cold substrate and after annealing, exhibits a more intense photoluminescence band at a wavelength of 1.54µm.

эпитаксиал пленкаларлегирлашфотолюминесценцияинтенсивликэпитаксиальные пленкилегированиефотолюминесценцияинтенсивностьepitaxial filmsdoping

Metadata source: the journal's OAI-PMH archive · Sindex does not store the full text; it links to the source.

Cite

APA 7 
Шарибаев, М.Б. & Каландарова, Ш.К. (2025). ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ. Ilim ha’m ja’miyet, (2-1), 46-47.
GOST R 7.0.5 
Шарибаев, М.Б., Каландарова, Ш.К. ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ // Ilim ha’m ja’miyet. 2025. № 2-1. С. 46-47.
BibTeX 
@article{м.б.2025,
  author  = {Шарибаев, М.Б. and Каландарова, Ш.К.},
  title   = {ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ},
  journal = {Ilim ha’m ja’miyet},
  year    = {2025},
  number  = {2-1},
  pages   = {46-47}
}
RIS 
TY  - JOUR
AU  - Шарибаев, М.Б.
AU  - Каландарова, Ш.К.
TI  - ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ
JO  - Ilim ha’m ja’miyet
PY  - 2025
IS  - 2-1
SP  - 46
EP  - 47
ER  -