Ilim ha’m ja’miyet Issue 3-1 (2026) · pp. 34-36
INFLUENCE OF EXTENDED DEFECTS ON THE PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES OF ZNTE/GAAS EPITAXIAL FILMS
Sharibaev, Murat Boribaevich, Yusupov, Oralbay Nauryzbaevich, Kalandarova, Shakhnoza Kuvondikovna, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Кувондиковна, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Қувондиковна
Abstract
In this work we report the depth inhomogeneity study of MBE grown ZnTe/(001) GaAs epilayers of different thickness by photoluminescence methods. The well profile change was calculated from PL peak energy shift. The role of GaAs diffusion and internal strain in radiation enhanced quantum-size structures degradation is discussed.
эпитаксиал плёнкалармоноқатламаларкристалл панжарафотолюменцияфотоўйғотишэпитаксиальные пленкимонослойкристаллическая решеткафотолюминесценцияфотовозбуждение
Metadata source: the journal's OAI-PMH archive · Sindex does not store the full text; it links to the source.