Ilim ha’m ja’miyet 3-1-нөмір (2026) · 34-36-беттер
INFLUENCE OF EXTENDED DEFECTS ON THE PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES OF ZNTE/GAAS EPITAXIAL FILMS
Sharibaev, Murat Boribaevich, Yusupov, Oralbay Nauryzbaevich, Kalandarova, Shakhnoza Kuvondikovna, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Кувондиковна, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Қувондиковна
Аңдатпа
In this work we report the depth inhomogeneity study of MBE grown ZnTe/(001) GaAs epilayers of different thickness by photoluminescence methods. The well profile change was calculated from PL peak energy shift. The role of GaAs diffusion and internal strain in radiation enhanced quantum-size structures degradation is discussed.
эпитаксиал плёнкалармоноқатламаларкристалл панжарафотолюменцияфотоўйғотишэпитаксиальные пленкимонослойкристаллическая решеткафотолюминесценцияфотовозбуждение
Метадеректер дереккөзі: журналдың OAI-PMH архиві · Sindex толық мәтінді сақтамайды, дереккөзге сілтеме береді.