Ilim ha’m ja’miyet Issue 4-1 (2021) · pp. 23-25
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Исмайлов, К.А., Кенжаев, З.Т., Яхшимов, С.Г., Олламберганов, Ш.З.
Abstract
It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of the photocell.
кремнийқуёш элементи эффективлигиникель кластерларигеттерлашяшаш вақтикремнийэффективность солнечного элементакластеры никелягеттерированиевремя жизни
Metadata source: the journal's OAI-PMH archive · Sindex does not store the full text; it links to the source.