Ilim ha’m ja’miyet № 4-1 (2021) · с. 23-25
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Исмайлов, К.А., Кенжаев, З.Т., Яхшимов, С.Г., Олламберганов, Ш.З.
Аннотация
It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of the photocell.
кремнийқуёш элементи эффективлигиникель кластерларигеттерлашяшаш вақтикремнийэффективность солнечного элементакластеры никелягеттерированиевремя жизни
Источник метаданных: OAI-PMH архив журнала · Sindex не хранит полный текст, а даёт ссылку на источник.