Ilim ha’m ja’miyet 4-1-нөмір (2021) · 23-25-беттер
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Исмайлов, К.А., Кенжаев, З.Т., Яхшимов, С.Г., Олламберганов, Ш.З.
Аңдатпа
It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of the photocell.
кремнийқуёш элементи эффективлигиникель кластерларигеттерлашяшаш вақтикремнийэффективность солнечного элементакластеры никелягеттерированиевремя жизни
Метадеректер дереккөзі: журналдың OAI-PMH архиві · Sindex толық мәтінді сақтамайды, дереккөзге сілтеме береді.