Ilim ha’m ja’miyet 2-1-son (2023) · 15-16-betlar
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H
Камалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.
Annotatsiya
In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.
кремний карбидиШоттки барьерибарьер баландлигиноидеаллик факториsilicon carbideSchottky barrierbarrier heightfactor nonideality
Metadata manbasi: jurnal OAI-PMH arxivi · Sindex toʻliq matnni saqlamaydi, manbaga havola beradi.