Ilim ha’m ja’miyet № 2-1 (2023) · с. 15-16
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H
Камалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.
Аннотация
In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.
кремний карбидиШоттки барьерибарьер баландлигиноидеаллик факториsilicon carbideSchottky barrierbarrier heightfactor nonideality
Источник метаданных: OAI-PMH архив журнала · Sindex не хранит полный текст, а даёт ссылку на источник.