Ilim ha’m ja’miyet № 2-1 (2023) · Саҳифаҳои 15-16
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H
Камалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.
Аннотатсия
In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.
кремний карбидиШоттки барьерибарьер баландлигиноидеаллик факториsilicon carbideSchottky barrierbarrier heightfactor nonideality
Манбаи метамаълумот: бойгонии OAI-PMH-и маҷалла · Sindex матни пурраро нигоҳ намедорад, ба манбаъ пайванд медиҳад.