Ilim ha’m ja’miyet 2-1-нөмір (2023) · 15-16-беттер
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H
Камалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.
Аңдатпа
In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.
кремний карбидиШоттки барьерибарьер баландлигиноидеаллик факториsilicon carbideSchottky barrierbarrier heightfactor nonideality
Метадеректер дереккөзі: журналдың OAI-PMH архиві · Sindex толық мәтінді сақтамайды, дереккөзге сілтеме береді.